-
DDR測(cè)試系列之四——漫話DDR3
DDR3將在未來(lái)的兩年內(nèi)加速占領(lǐng)更多的市場(chǎng)份額,Intel的Core i7處理器以及AMD的Phenom II處理器均內(nèi)置內(nèi)存控制器并且支持DDR3,同時(shí)Core i7處理器將不支持DDR2。
2009-12-28
-
DDR測(cè)試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫周期
測(cè)量DDR2存儲(chǔ)設(shè)備需要把讀/寫的訪問(wèn)周期分離開(kāi)來(lái)。在DDR2中通過(guò)Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來(lái)讀和寫的操作。如圖1所示,在讀操作時(shí)Data和Strobe的跳變是同步的,而在寫操作時(shí)Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時(shí)序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
-
DDR測(cè)試系列之一——力科DDR2測(cè)試解決方案
本文介紹了DDR2總線,DDR2相關(guān)測(cè)試以及力科的DDR2全方位測(cè)試解決方案。力科QPHY-DDR2從信號(hào)連接,DDR2總線全面測(cè)試到測(cè)試報(bào)告生成各方面進(jìn)行了完美的集成,為復(fù)雜的DDR2測(cè)試提供了最佳的測(cè)試環(huán)境,從而保證了DDR2測(cè)試的精確性與高效率。
2009-10-15
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
- 10MHz高頻運(yùn)行!氮矽科技發(fā)布集成驅(qū)動(dòng)GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內(nèi)阻、超低失真4PST模擬開(kāi)關(guān)
- 一“芯”雙電!圣邦微電子發(fā)布雙輸出電源芯片,簡(jiǎn)化AFE與音頻設(shè)計(jì)
- 一機(jī)適配萬(wàn)端:金升陽(yáng)推出1200W可編程電源,賦能高端裝備制造
- 二十而冠,向新而行 深圳村田科技有限公司20周年慶典暨新年會(huì)盛大舉行
- 四大“超級(jí)大腦”驅(qū)動(dòng)變革:英飛凌半導(dǎo)體賦能寶馬集中式E/E架構(gòu)
- 從渦流損耗分析到高密度架構(gòu):Bourns 在 APEC 2026 揭秘電源設(shè)計(jì)核心突破
- 邁向6G黃金頻段:R&S攜CMX500與AI工具集,定義未來(lái)網(wǎng)絡(luò)測(cè)試新標(biāo)準(zhǔn)
- XMOS亮相Embedded World 2026:首發(fā)音頻生成式SoC,共啟邊緣智能新紀(jì)元
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall




